MOSFET onsemi, canale N, 3 mΩ, 191 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1252
Codice costruttore:
NTMFS4833NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

191 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SO-8FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

3 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1.5V

Dissipazione di potenza massima

113,6 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Larghezza

4.9mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

5.8mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

88 nC a 11,5 V

Tensione diretta del diodo

1V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.05mm

Paese di origine:
MY
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bassa capacità per ridurre le perdite di driver
Carica di gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione
Si Tratta Di Dispositivi Senza Piombo−
Applications
Fare riferimento alla nota applicativa AND8195/D.
Erogazione di potenza della CPU
Convertitori DC−DC
Commutazione Lato Basso

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