MOSFET onsemi, canale N, 3 mΩ, 191 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

Codice RS:: 184-1252
Codice costruttore:: NTMFS4833NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3 mΩ, 191 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 184-1252
Codice costruttore:: NTMFS4833NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMFS4833NT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	191 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SO-8FL
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	113,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	88 nC a 11,5 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5.8mm
Tensione diretta del diodo	1V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 3 mΩ, 191 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

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