MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 10 mΩ Miglioramento, 67 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5H663NLT1G

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Codice RS:
185-9275
Codice costruttore:
NVMFS5H663NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS5H663NL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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