MOSFET onsemi, canale N, 13 mΩ, 44 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 186-1534
Codice costruttore:: NTMFS5H610NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 13 mΩ, 44 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 186-1534
Codice costruttore:: NTMFS5H610NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMFS5H610NLT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	44 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	13 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	43 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	5.1mm
Larghezza	6.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	13,7 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 13 mΩ, 44 A, DFN, Montaggio superficiale

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