MOSFET ROHM, canale N, 39 mΩ, 70 A, TO-247-4, Su foro

Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

70 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

TO-247-4

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

39 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5.6V

Tensione di soglia gate minima

2.7V

Dissipazione di potenza massima

262 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

22 V

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

104 nC @ 18V