MOSFET STMicroelectronics, canale N, 70 mΩ, 39 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 760-9796
Codice costruttore:: STW48NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 70 mΩ, 39 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 760-9796
Codice costruttore:: STW48NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.063 Ohm, 39 A TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	39 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	MDmesh
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	255 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	15.75mm
Larghezza	5.15mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	124 nC a 10 V
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 70 mΩ, 39 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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