MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 486-3079
Codice costruttore:: STW10NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 486-3079
Codice costruttore:: STW10NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

STB/STP/STW 10NK60Z Zener-Protected SuperMESH PowerMOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	156 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	50 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.15mm
Lunghezza	15.75mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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