MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10,5 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 920-8859
Codice costruttore:: STW12NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10,5 A, TO-247, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)**

2,748 €

(IVA esclusa)

3,353 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
30 - 60	2,748 €	82,44 €
90 - 480	2,196 €	65,88 €
510 - 960	1,956 €	58,68 €
990 - 4980	1,652 €	49,56 €
5010 +	1,594 €	47,82 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-8859
Codice costruttore:: STW12NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10,5 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	190 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	87 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	15.75mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.15mm
Altezza	20.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10,5 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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