MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 800 V, 0.75 Ω Miglioramento, 10.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

800 V

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

0.75 Ω

Modalità canale

Miglioramento

Massima corrente di scarico continua (Id)

10.5 A

Numero pin

3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Standard automobilistico

No

Tensione diretta (Vf)

1.6 V

Altezza

9.15 mm

Lunghezza

10.4 mm

Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs)

-30 V, +30 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Dissipazione di potenza massima (Pd)

190 W

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

SuperMESH

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs

87 nC

Larghezza

4.6 mm