MOSFET STMicroelectronics, canale N, 750 mΩ, 10,5 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
687-5263
Codice costruttore:
STP12NK80Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10,5 A

Tensione massima drain source

800 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

750 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

190 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

87 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.15mm

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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