MOSFET SuperMESH protetto da zener STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 0.75 Ω Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-220,
- Codice RS:
- 168-6099
- Codice costruttore:
- STP10NK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
71,40 €
(IVA esclusa)
87,10 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Spedizione a partire dal 28 aprile 2026
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,428 € | 71,40 € |
| 100 - 450 | 1,115 € | 55,75 € |
| 500 - 950 | 0,938 € | 46,90 € |
| 1000 - 4950 | 0,787 € | 39,35 € |
| 5000 + | 0,744 € | 37,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-6099
- Codice costruttore:
- STP10NK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET SuperMESH protetto da zener | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.75Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | JESD97, ECOPACK | |
| Altezza | 9.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET SuperMESH protetto da zener | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.75Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni JESD97, ECOPACK | ||
Altezza 9.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET SuperMESH protetto da zener STMicroelectronics 0.75 Ω Miglioramento 3 Pin
- MOSFET di potenza SuperMESH STMicroelectronics 2 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPA60R600P7SXKSA1
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP60R600P7XKSA1
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 0.75 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 0.75 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
