MOSFET SuperMESH protetto da zener STMicroelectronics, canale N 600 V, 0.75 Ω Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-220, Foro

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Codice RS:
168-6099
Codice costruttore:
STP10NK60Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET SuperMESH protetto da zener

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.6mm

Altezza

9.15mm

Standard/Approvazioni

JESD97, ECOPACK

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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