MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 0.75 Ω Miglioramento, 2.5 A, 10 Pin, PowerSO-10RF, Superficie PD55003TR-E

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-270
Codice costruttore:
PD55003TR-E
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerSO-10RF

Serie

PD5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

31.7W

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

165°C

Lunghezza

15.65mm

Larghezza

9.6 mm

Standard/Approvazioni

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Altezza

3.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza RF di STMicroelectronics della famiglia di MOSFET laterali in modalità enhancement a canale N e LdmoST è progettato per applicazioni commerciali e industriali ad alto guadagno e a banda larga. Funziona a 12 V in modalità sorgente comune a frequenze fino a 1 GHz. Il PD55003 vanta un guadagno, una linearità e un'affidabilità eccellenti grazie alla più recente tecnologia LDMOS della ST montata nel primo vero package di potenza RF in plastica SMD, il PowerSO-10RF. Le prestazioni di linearità superiore ne fanno una soluzione ideale per le autoradio.

Eccellente stabilità termica

Configurazione della sorgente comune

POUT 3 W con guadagno di 17 dB alla frequenza di 500 MHz o 12,5 V

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