MOSFET STMicroelectronics, canale N 40 V, 0.75 Ω Miglioramento, 2.5 A, 10 Pin, PowerSO-10RF, Superficie PD55003TR-E

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-270
Codice costruttore:
PD55003TR-E
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerSO-10RF

Serie

PD5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

31.7W

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

165°C

Standard/Approvazioni

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Altezza

3.6mm

Lunghezza

15.65mm

Larghezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza RF di STMicroelectronics della famiglia di MOSFET laterali in modalità enhancement a canale N e LdmoST è progettato per applicazioni commerciali e industriali ad alto guadagno e a banda larga. Funziona a 12 V in modalità sorgente comune a frequenze fino a 1 GHz. Il PD55003 vanta un guadagno, una linearità e un'affidabilità eccellenti grazie alla più recente tecnologia LDMOS della ST montata nel primo vero package di potenza RF in plastica SMD, il PowerSO-10RF. Le prestazioni di linearità superiore ne fanno una soluzione ideale per le autoradio.

Eccellente stabilità termica

Configurazione della sorgente comune

POUT 3 W con guadagno di 17 dB alla frequenza di 500 MHz o 12,5 V

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