MOSFET STMicroelectronics, canale N 65 V, 0.76 Ω Miglioramento, 2.5 A, 10 Pin, PowerSO-10RF, Superficie PD57018-E

Il transistor RF POWER di STMicroelectronics è un transistor di potenza RF a canale N a sorgente comune, a effetto di campo laterale in modalità enhancement. È progettato per applicazioni commerciali e industriali ad alto guadagno e a banda larga. Funziona a 28 V in modalità sorgente comune a frequenze fino a 1 GHz. Il dispositivo vanta l'eccellente guadagno, linearità e affidabilità della più recente tecnologia LDMOS della ST, montata nel primo vero package di potenza RF in plastica SMD, PowerSO-10RF. Le prestazioni di linearità superiore del dispositivo lo rendono una soluzione ideale per le applicazioni delle stazioni base. Il pacchetto in plastica PowerSO-10, progettato per offrire un'elevata affidabilità, è il primo pacchetto SMD ad alta potenza approvato da ST JEDEC. È stato appositamente ottimizzato per le esigenze RF e offre eccellenti prestazioni RF e facilità di montaggio. Le raccomandazioni per il montaggio sono disponibili in www.st.com/rf/ (vedere la nota applicativa AN1294).

Eccellente stabilità termica