Singolo MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 65 V, B4E, Superficie Miglioramento, 4 Pin

Prezzo per 1 bobina da 120 unità*

17.310,24 €

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21.118,44 €

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Codice RS:
230-0084
Codice costruttore:
RF2L16180CB4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Frequenza

1450 MHz

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Serie

RF2L

Tipo di package

B4E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Larghezza

9.78 mm

Lunghezza

27.94mm

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Guadagno potenza tipico

14dB

Il dispositivo STMicroelectronics RF2L16180CB4 è un transistor LDMOS con adattamento interno da 180 W, 28 V progettato per stazione base WCDMA/PCS/DCS/LTE multiportante e applicazioni ISM con frequenze da 1300 a 1600 MHz. Quattro derivazioni possono essere configurate come a terminazione singola, push-pull a 180 gradi o come ibride o Doherty a 90 gradi con una rete di adattamento esterna appropriata.

Elevata efficienza e operazioni di guadagno lineare

Protezione ESD integrata

Corrispondenza interna per una maggiore facilità d'uso

Ottimizzato per applicazioni Doherty

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