Singolo MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, B-2, Superficie Miglioramento, 2 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 120 unità*

15.102,60 €

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Codice RS:
230-0086
Codice costruttore:
RF2L36075CF2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Frequenza

3.5 GHz

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

RF2L

Tipo di package

B-2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Modalità canale

Miglioramento

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

19.44 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

3.61mm

Lunghezza

20.57mm

Guadagno potenza tipico

12.5dB

Standard automobilistico

No

Il dispositivo STMicroelectronics RF2L36075CF2 è un transistor LDMOS con adattamento interno da 75 W progettato per stazioni di base WCDMA/PCS/DCS/LTE multi-carrier e applicazioni radar in banda S nella gamma di frequenza da 3,1 a 3,6 GHz. Può essere utilizzato in classe AB, B o C per tutti i formati di modulazione tipici delle stazioni base cellulari.

Elevata efficienza e operazioni di guadagno lineare

Protezione ESD integrata

Corrispondenza ingresso interno per una maggiore facilità d'uso

Ampia gamma di tensione gate-source positiva e negativa per un migliore funzionamento di classe C.

Eccellente stabilità termica, bassa deriva HCI

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