MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 397 A, 2 Pin, H2PAK-2, Superficie

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1000 - 90004,38 €4.380,00 €
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500000 - 9990002,844 €2.844,00 €
1000000 +2,628 €2.628,00 €

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Codice RS:
719-651
Codice costruttore:
STH345N6F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

397A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STH

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.4mm

Altezza

4.7mm

Lunghezza

9.3mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

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