MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 397 A, 2 Pin, H2PAK-2, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

5,48 €

(IVA esclusa)

6,69 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 300 unità in spedizione dal 19 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 95,48 €
10 - 994,01 €
100 - 4993,10 €
500 - 9992,76 €
1000 +2,31 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
719-652
Codice costruttore:
STH345N6F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

397A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STH

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

9.3mm

Altezza

4.7mm

Larghezza

10.4mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i RDS(on) più bassi sul mercato

Eccellente FoM (figura di merito)

Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.