MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 80 V, 21 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie STH270N8F7-2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
792-5855
Codice costruttore:
STH270N8F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

H2PAK

Serie

STripFET H7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

193nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

315W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.8mm

Larghezza

15.8 mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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