MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
165-6593
Codice costruttore:
STH310N10F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

315W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

15.8mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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