MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 80 V, 21 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2806,00 €

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Codice RS:
168-7106
Codice costruttore:
STH270N8F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

315W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

193nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.8mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.8 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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