MOSFET STMicroelectronics, canale N 100 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

Visualizza MOSFET
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori

Aggiungi 2000 in più per risparmiare 50,00 €

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1979,00 €

(IVA esclusa)

2414,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
Risparmio
1000 - 10001,979 €1.979,00 €-
2000 +1,954 €1.954,00 €50,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-8819
Codice costruttore:
STH150N10F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

117nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.57mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.8mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.