MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
168-8819
Codice costruttore:
STH150N10F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

117nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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