MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie STH150N10F7-2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
860-7523
Codice costruttore:
STH150N10F7-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

117nC

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.8mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

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