MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 65 V, 0.76 Ω Miglioramento, 7 A, 10 Pin, PowerSO-10RF, Superficie PD57060-E

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-274
Codice costruttore:
PD57060-E
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Tipo di package

PowerSO-10RF

Serie

PD5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

10

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.76Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

165°C

Larghezza

9.6 mm

Altezza

3.6mm

Lunghezza

14.35mm

Standard/Approvazioni

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza RF di STMicroelectronics è un MOSFET di potenza RF a canale N a sorgente comune, a effetto di campo laterale in modalità enhancement. È progettato per applicazioni commerciali e industriali ad alto guadagno e a banda larga. Funziona a 28 V in modalità sorgente comune a frequenze fino a 1 GHz. Il dispositivo vanta l'eccellente guadagno, linearità e affidabilità della più recente tecnologia LDMOS della ST, montata nel primo vero package di potenza RF in plastica SMD, PowerSO-10RF. Le prestazioni di linearità superiore del dispositivo lo rendono una soluzione ideale per le applicazioni delle stazioni base. Il pacchetto in plastica PowerSO-10, progettato per offrire un'elevata affidabilità, è il primo pacchetto SMD ad alta potenza approvato da ST JEDEC. È stato appositamente ottimizzato per le esigenze RF e offre eccellenti prestazioni RF e facilità di montaggio. Le raccomandazioni per il montaggio sono disponibili in www.st.com/rf/ (vedere la nota applicativa AN1294).

Eccellente stabilità termica

Configurazione della sorgente comune

Nuovo pacchetto RF in plastica

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