MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 800 V, 0.75 Ω Miglioramento, 10.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
168-6691
Codice costruttore:
STP12NK80Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

10.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

87nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Altezza

9.15mm

Standard automobilistico

No

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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