1 STMicroelectronics Singolo, canale Tipo N, Tipo N, 190 Ω, 25 A 650 V, TO-220, Superficie, Foro passante, Foro passante

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Codice RS:
192-4662
Codice costruttore:
STP26N65DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie, Foro passante, Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Altezza

15.75mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Larghezza

4.6mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmeshTM DM2. Offre una carica di recupero (Qrr) e un tempo (trr) molto bassi combinati con un basso RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie di ponte e convertitori a spostamento di fase ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa

Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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