Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 μΩ, 25 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 192-4662
Codice costruttore:: STP26N65DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 μΩ, 25 A, TO-220, Su foro

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

2,517 €

(IVA esclusa)

3,071 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
50 - 50	2,517 €	125,85 €
100 - 200	2,192 €	109,60 €
250 - 450	2,082 €	104,10 €
500 - 950	1,887 €	94,35 €
1000 +	1,84 €	92,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 192-4662
Codice costruttore:: STP26N65DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e un tempo (trr) combinati con un RDS(on) basso, rendendola adatta per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie a ponte e convertitori di sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido
Capacità di ingresso e carica del gate estremamente bassa
Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	25 A
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 μΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±25 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	35,5 nC @ 10 V.
Lunghezza	10.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.6V
Altezza	15.75mm

Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 μΩ, 25 A, TO-220, Su foro

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