Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 190 Ω, 25 A, TO-220, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4952
Codice costruttore:
STP26N65DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

25 A

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

190 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

160 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±25 V

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

35,5 nC @ 10 V.

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

15.75mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.6V

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e un tempo (trr) combinati con un RDS(on) basso, rendendola adatta per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie a ponte e convertitori di sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido
Capacità di ingresso e carica del gate estremamente bassa
Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener

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