1 STMicroelectronics Singolo, canale Tipo N, Tipo N, 190 Ω, 25 A 650 V, TO-220, Superficie, Foro passante, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4952
Codice costruttore:
STP26N65DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie, Foro passante, Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Altezza

15.75mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmeshTM DM2. Offre una carica di recupero (Qrr) e un tempo (trr) molto bassi combinati con un basso RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie di ponte e convertitori a spostamento di fase ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa

Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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