1 STMicroelectronics Singolo, canale N, 190 Ω, 25 A 650 V, TO-220, Superficie, Foro passante, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4952
Codice costruttore:
STP26N65DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Numero elementi per chip

1

Configurazione transistor

Singolo

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

190 Ω

Massima corrente di scarico continua (Id)

25 A

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

650 V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie, Foro passante, Foro passante

Modalità canale

Miglioramento

Numero pin

3

Standard automobilistico

No

Tensione diretta (Vf)

1.6 V

Altezza

15.75 mm

Lunghezza

10.4 mm

Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs)

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Dissipazione di potenza massima (Pd)

160 W

Minima temperatura operativa

-55 °C

Standard/Approvazioni

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs

35.5 nC

Larghezza

4.6 mm

Paese di origine:
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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