MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 43 mΩ Miglioramento, 21 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS025N06CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2539
Codice costruttore:
NTMYS025N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMYS025N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

43mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

24W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.15mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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