MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.115 Ω 600 V, 25 A Depletion, TO-263, Superficie, 3 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3134,00 €

(IVA esclusa)

3823,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 30 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +3,134 €3.134,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
202-5495
Codice costruttore:
STB33N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

ST

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.85mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.6 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato.

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Link consigliati