MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.115 Ω 600 V, 25 A Depletion, TO-263, Superficie, 3 Pin

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Codice RS:
202-5495
Codice costruttore:
STB33N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

ST

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Altezza

15.85mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato.

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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