MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.115 Ω 600 V, 25 A Depletion, TO-263, Superficie, 3 Pin STB33N60DM6
- Codice RS:
- 202-5496
- Codice costruttore:
- STB33N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
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- STB33N60DM6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | ST | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.115Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 190W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 15.85mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie ST | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.115Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 190W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 15.85mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato.
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
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