MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 160 mΩ Miglioramento, 17 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NVHL160N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5747
Codice costruttore:
NVHL160N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NVH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Dissipazione di potenza massima Pd

119W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

4.82 mm

Altezza

20.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−3L, N?Canale, 1200 V, 160 m?, TO247?3L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101

Testato al 100% con UIL

Capacità di uscita effettiva bassa

Conformità RoHS

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