MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 160 mΩ Miglioramento, 17.3 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NVH4L160N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5743
Codice costruttore:
NVH4L160N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NVH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4V

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

22.74mm

Lunghezza

15.8mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 and PPAP Capable

Larghezza

5.2 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101

Testato con effetto valanga al 100%

Capacità di uscita effettiva bassa

Conformità RoHS

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