MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 58 A, 7 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
254-7671
Codice costruttore:
NTH4L075N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione diretta Vf

4.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a

Standard automobilistico

AEC-Q101

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L


La serie NTH di MOSFET in carburo di silicio ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, grazie alla bassa resistenza all'accensione e alle dimensioni compatte del chip. Garantisce una bassa capacità e una bassa carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Utilizzato nelle telecomunicazioni, elevata affidabilità ad alta temperatura ambiente, commutazione ad alta velocità e bassa capacità

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