MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 162 mΩ Miglioramento, 44 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 189-0265
- Codice costruttore:
- NVHL080N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
335,94 €
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409,86 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 11,198 € | 335,94 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 189-0265
- Codice costruttore:
- NVHL080N120SC1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 162mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 348W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Tensione diretta Vf | 4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 4.82 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 162mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 348W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Tensione diretta Vf 4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 4.82 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−3
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza ALL'ACCENSIONE e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più faster, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.
Grado di protezione 1200V
RDS(ON) max = 110mΩ a Vgs = 20V, Id = 20A
Commutazione Ad Alta Velocità E Bassa Capacità
I Dispositivi Sono Privi Di Piombo
Applications
PFC
OBC
Prodotti finali
Convertitore CC/CC per auto per EV/PHEV
Caricabatteria Di Bordo Per Auto
Azionamento Motore Ausiliario Per Uso Automobilistico