MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 40 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
202-5744
Codice costruttore:
NVHL040N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NVH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

174W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.82 mm

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−3L, N?Canale, 1200 V, 40 m?, TO247?3L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC.

Certificazione AEC Q101

Testato al 100% con UIL

Capacità di uscita effettiva bassa

Conformità RoHS

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