MOSFET onsemi, canale N, 162 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET onsemi, canale N, 162 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro
Brand: onsemi
SKU: 189-0419
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	44 A
Tensione massima drain source	1200 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	162 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.3V
Tensione di soglia gate minima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	348 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-15 V, +25 V.
Lunghezza	15.87mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	56 nC @ 20 V.
Larghezza	4.82mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	SiC
Tensione diretta del diodo	4V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	20.82mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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