Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247-4, Su foro

Codice RS:: 202-5700
Codice costruttore:: NTH4L080N120SC1
Costruttore:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247-4, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 450)**

5,098 €

(IVA esclusa)

6,22 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
450 +	5,098 €	2.294,10 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 202-5700
Codice costruttore:: NTH4L080N120SC1
Costruttore:: onsemi

Datasheet - NTH4L080N120SC1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	29 A
Tensione massima drain source	1200 V
Serie	NTH
Tipo di package	TO-247-4
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,11 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.3V
Materiale del transistor	SiC
Numero di elementi per chip	1

Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247-4, Su foro

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Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

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