MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL080N120SC1A
- Codice RS:
- 205-2502
- Codice costruttore:
- NTHL080N120SC1A
- Costruttore:
- onsemi
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- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 178W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensione diretta Vf | 4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 39.75mm | |
| Altezza | 4.48mm | |
| Larghezza | 15.37mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 178W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensione diretta Vf 4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 39.75mm | ||
Altezza 4.48mm | ||
Larghezza 15.37mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
Il MOSFET 1200V a canale N SiC serie N N ON Semiconductor UTILIZZA una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.
Corrente nominale di drain continua di 31A
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 110mohm
Commutazione ad alta velocità e bassa capacità
Testato al 100% con UIL
Capacità di uscita effettiva bassa
Il tipo di contenitore è TO-247-3LD
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