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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET e diodo
	Massima corrente di scarico continua Id	31A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1200V
	Serie	NTH
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	110mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	4V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	56nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	178W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	4.48mm
	Lunghezza	39.75mm
	Larghezza	15.37 mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET e diodo
	Massima corrente di scarico continua Id 31A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V
	Serie NTH
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 4V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 178W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 4.48mm
	Lunghezza 39.75mm
	Larghezza 15.37 mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - NTHL080N120SC1A

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

Il MOSFET 1200V a canale N SiC serie N N ON Semiconductor UTILIZZA una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza di funzionamento più faster, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni ridotte del sistema.

Corrente nominale di drain continua di 31A

Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 110mohm

Commutazione ad alta velocità e bassa capacità

Testato al 100% con UIL

Capacità di uscita effettiva bassa

Il tipo di contenitore è TO-247-3LD

MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

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