MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 29 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NTH4L080N120SC1

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Codice RS:
202-5701
Codice costruttore:
NTH4L080N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

22.74mm

Lunghezza

15.2mm

Larghezza

5.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 29 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, inverter boost, azionamento per motori industriali, caricabatterie PV.

Resistenza all'accensione da drain a source 110mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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