MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL160N120SC1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

12,64 €

(IVA esclusa)

15,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 8 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Più 304 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 186,32 €12,64 €
20 - 1985,45 €10,90 €
200 +4,72 €9,44 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5707
Codice costruttore:
NTHL160N120SC1
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

119W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.82 mm

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 160mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

Link consigliati