MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 110 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL160N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5707
Codice costruttore:
NTHL160N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NTH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

119W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.82mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

20.82mm

Lunghezza

15.87mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 160mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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