MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 129 A, 29 Pin, PIM29 NXH008T120M3F2PTHG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-552
Codice costruttore:
NXH008T120M3F2PTHG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

129A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NXH

Tipo di package

PIM29

Numero pin

29

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

371W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

454nC

Tensione diretta Vf

4.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

56.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

42.5 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di ON Semiconductor è un modulo di potenza contenente un MOSFET TNPC SiC da 8 m ohm / 1200 V e un termistore con HPS DBC in un contenitore F2.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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