MOSFET onsemi, canale Tipo N 300 V, 129 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
124-1330
Codice costruttore:
FDB28N30TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

TO-263

Serie

UniFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

129mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

11.33 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor


Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.

I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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