MOSFET onsemi, canale Tipo N 300 V, 129 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 124-1330
Codice costruttore:: FDB28N30TM
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 300 V, 129 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1056,00 €

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Codice RS:: 124-1330
Codice costruttore:: FDB28N30TM
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	28A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	300V
	Serie	UniFET
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	129mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	250W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	39nC
	Tensione diretta Vf	1.4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	11.33mm
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.83mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 28A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 300V
	Serie UniFET
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 129mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 250W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC
	Tensione diretta Vf 1.4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 11.33mm
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.83mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor

Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.

I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 300 V, 129 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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