MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6.82 mΩ Miglioramento, 201 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
202-5687
Codice costruttore:
NTB004N10G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

175nC

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.88mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free and are RoHS

Lunghezza

10.63mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor funziona con 201 Ampere e 100 V. Può essere utilizzato in sistemi hot swap a 48 V.

Bassa resistenza da drain a source ON

Capacità di corrente elevata

Ampia area di lavoro sicura

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

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