MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6.82 mΩ Miglioramento, 201 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTB004N10G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

37,70 €

(IVA esclusa)

46,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3245 unità in spedizione dal 26 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 457,54 €37,70 €
50 - 956,50 €32,50 €
100 +5,636 €28,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5688
Codice costruttore:
NTB004N10G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

175nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.63mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free and are RoHS

Altezza

15.88mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor funziona con 201 Ampere e 100 V. Può essere utilizzato in sistemi hot swap a 48 V.

Bassa resistenza da drain a source ON

Capacità di corrente elevata

Ampia area di lavoro sicura

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

Link consigliati