MOSFET onsemi, canale N 100 V, 6.82 mΩ Miglioramento, 201 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTB004N10G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5688
Codice costruttore:
NTB004N10G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

201A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

340W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

175nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.88mm

Lunghezza

10.63mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free and are RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza on Semiconductor funziona con 201 Ampere e 100 V. Può essere utilizzato in sistemi hot swap a 48 V.

Bassa resistenza da drain a source ON

Capacità di corrente elevata

Ampia area di lavoro sicura

Senza piombo

Senza alogeni

Conformità RoHS

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