MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 224 mΩ Miglioramento, 17.3 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NTH4L160N120SC1

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Codice RS:
202-5703
Codice costruttore:
NTH4L160N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

224mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

18.62mm

Altezza

22.74mm

Larghezza

5.2 mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 160mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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