1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 1.5 Ω, 1.03 A 20 V, SOT-563, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMG1023UVQ-7
- Codice RS:
- 206-0066
- Codice costruttore:
- DMG1023UVQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,075 € | 225,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,073 € | 219,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,072 € | 216,00 € |
| 45000 + | 0,07 € | 210,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0066
- Codice costruttore:
- DMG1023UVQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.03A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Serie | DMG1023 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 622.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 530W | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 1.6mm | |
| Altezza | 0.6mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.03A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Serie DMG1023 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 622.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 530W | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 1.6mm | ||
Altezza 0.6mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 20V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 6 V con una dissipazione di potenza termica di 0,53 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
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