2 MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, 4.5 Ω 50 V, SOT-563, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMN53D0LV-7
- Codice RS:
- 246-7518
- Codice costruttore:
- DMN53D0LV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 246-7518
- Codice costruttore:
- DMN53D0LV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 430mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 430mW | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il DiodesZetex è un MOSFET a doppio canale N progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Offre una velocità di commutazione rapida, bassa dispersione in ingresso/uscita. Il contenitore ultra-piccolo a montaggio superficiale è protetto ESD fino a 2 KV.
Bassa resistenza in stato attivo Tensione di soglia gate molto bassa Bassa capacità di ingresso
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