MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,052 Ω, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 206-0089
- Codice costruttore:
- DMN4035L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 206-0089
- Codice costruttore:
- DMN4035L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 4,6 A | |
| Tensione massima drain source | 40 V | |
| Serie | DMN4035 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 0,052 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 3V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 4,6 A | ||
Tensione massima drain source 40 V | ||
Serie DMN4035 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 0,052 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 3V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 40V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,72 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
Bassa capacità di ingresso
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