MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMNH4004SPS-13
- Codice RS:
- 206-0095
- Codice costruttore:
- DMNH4004SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 206-0095
- Codice costruttore:
- DMNH4004SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Serie | DMNH4004 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 40nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.8W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Serie DMNH4004 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 40nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.8W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 40V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.
Il valore nominale a +175 °C è ideale per l'ambiente ad alta temperatura
Qg basso - riduce al minimo le perdite di commutazione
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ Miglioramento PowerDI5060-8 DMPH33M8SPSW-13
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ Miglioramento PowerDI5060-8 DMP3011SPSW-13
- MOSFET DiodesZetex 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMTH31M7LPSQ-13
- MOSFET DiodesZetex 4.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMTH10H4M6SPS-13
- MOSFET DiodesZetex 190 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMTH15H017SPS-13
- MOSFET DiodesZetex 1.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMT61M8SPS-13
- MOSFET DiodesZetex 1.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMTH61M8SPSQ-13
