MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie
- Codice RS:
- 206-0094
- Codice costruttore:
- DMNH4004SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1275,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,51 € | 1.275,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0094
- Codice costruttore:
- DMNH4004SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | DMNH4004 | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 40nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.8W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie DMNH4004 | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 40nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.8W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 40V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.
Il valore nominale a +175 °C è ideale per l'ambiente ad alta temperatura
Qg basso - riduce al minimo le perdite di commutazione
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