MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1275,00 €

(IVA esclusa)

1550,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,51 €1.275,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-0094
Codice costruttore:
DMNH4004SPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DMNH4004

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Larghezza

4.7 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 40V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con una dissipazione di potenza termica di 1,3 W.

Il valore nominale a +175 °C è ideale per l'ambiente ad alta temperatura

Qg basso - riduce al minimo le perdite di commutazione

Link consigliati