MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 98 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMT6006SPS-13
- Codice RS:
- 206-0150
- Codice costruttore:
- DMT6006SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,766 € | 19,15 € |
| 50 - 75 | 0,752 € | 18,80 € |
| 100 - 225 | 0,654 € | 16,35 € |
| 250 - 975 | 0,638 € | 15,95 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0150
- Codice costruttore:
- DMT6006SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 98A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMT6006 | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.45W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27.9nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 98A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMT6006 | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.45W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27.9nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 60V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,45 W.
Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte
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