MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 98 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMT6006SPS-13

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

19,15 €

(IVA esclusa)

23,375 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 975 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,766 €19,15 €
50 - 750,752 €18,80 €
100 - 2250,654 €16,35 €
250 - 9750,638 €15,95 €
1000 +0,622 €15,55 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0150
Codice costruttore:
DMT6006SPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMT6006

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.45W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 60V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,45 W.

Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Link consigliati