MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 20.1 kA, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMTH10H4M5LPS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0159
Codice costruttore:
DMTH10H4M5LPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20.1kA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

DMTH10

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 100V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, questo dispositivo è ideale per l'uso nella gestione dell'alimentazione della batteria dei notebook e nell'interruttore di distribuzione di carico. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,7 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

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