MOSFET DiodesZetex, canale N 100 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 20.1 kA, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMTH10H4M5LPS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0159
Codice costruttore:
DMTH10H4M5LPS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20.1kA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerDI5060

Serie

DMTH10

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

900μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 100V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, questo dispositivo è ideale per l'uso nella gestione dell'alimentazione della batteria dei notebook e nell'interruttore di distribuzione di carico. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,7 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

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