MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 20.1 kA, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie DMTH10H4M5LPS-13
- Codice RS:
- 206-0159
- Codice costruttore:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,21 € | 11,05 € |
| 50 - 95 | 1,944 € | 9,72 € |
| 100 - 245 | 1,894 € | 9,47 € |
| 250 - 995 | 1,846 € | 9,23 € |
| 1000 + | 1,798 € | 8,99 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0159
- Codice costruttore:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20.1kA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10 | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20.1kA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie DMTH10 | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 100V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, questo dispositivo è ideale per l'uso nella gestione dell'alimentazione della batteria dei notebook e nell'interruttore di distribuzione di carico. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,7 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
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